第532章 比砸钱智云就没怕过谁

术路线了。

没办法，芯片的发展是有着物理极限的……现在的euv光刻机乃至未来可以预见的新一代euv，后续哪怕是采用多重曝光之后，其芯片的半金属间隔距离也就只能做到十多纳米的程度。

继续往下降低的话，就会遇到越来越大的问题，比如漏电问题。

倒是一些自媒体乱吹的量子隧穿问题，这个倒不用担心。

因为量子隧穿效应，大概要在三纳米左右的时候才会有可能出现，这个三纳米，指的可不是等效三纳米工艺，而是实打实的晶体管的接触栅极间距、金属间距这些真实的物理间距。

而以目前的人类技术，想要在实打实的物理极限上达到三纳米，那还早着呢！

以智云微电子的第二代七纳米工艺为例子，这个七纳米可不是真的物理极限七纳米，而是‘等效七纳米’……这其实是一个产品代号，或者宣传术语。

智云微电子的第二代七纳米工艺，接触栅极间距是五十四纳米，金属间距则是三十八米，台积电的七纳米工艺以及四星他们即将在今年推出的七纳米工艺，差不多也是这个水准。

并且到这个程度后继续往下缩减已经变得非常困难了……智云微电子的等效五纳米工艺里，预定的金属间距才是二十八纳米。

而这已经逼近了euv光刻机的单次曝光性能物理极限了！

再往下的话，就需要套刻精度更高，性能更强悍的下一代euv采用双重曝光、乃至四重曝光来生产了！

智云集团里技术研发阶段的等效三纳米工艺，预计就是采用下一代euv光刻机，采用双重曝光工艺，而之一代工艺的金属间隔设计指标是二十三纳米。

再往后所谓的等效二纳米、一纳米，零点几纳米之类的工艺，则是继续往下缩小这个金属间隔，而且还是一纳米，两纳米的小幅度的缓

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