第1591章 新材料合成法

生成。”

“进度抓得不错。”常浩南点点头，称赞道。

分子束外延这条技术路线是绝对没问题的。

但要想在短短几个月时间里拿出成果，必定还得向其中倾注大量心血。

“算是走了点捷径吧。”栗亚波谦逊地回答道，“半导体生产领域已经有了推广分子束外延工艺积累的经验，尤其是III-V族半导体晶体，像氮化硼，现在工艺已经比较成熟，甚至已经开始替代传统沉积法了……”

常浩南走到实验室电脑前，看着上面的工艺流程图：

“启发归启发，半导体材料的外延生长和金属单原子层的外延生长，环境要求和物理机制差别很大……你肯定也不是照搬的。”

说到这里，他突然觉得有些感慨。

类似的对话，当年在自己和杜义山之间发生过无数次。

而如今，身份调转。

“这个倒是。”栗亚波点头，走到电脑旁，熟练地打开了一项分子动力学工程文件，“所以我对衬底和生长材料的界面结合机制做了关键调整……主要是放弃传统的强化学键连接，选择范德华力作为主要的层间相互作用力。”

他指着屏幕上放大的原子结构模型：

“您看，这个镉基的Cd（0001）衬底是一种严格的二维材料，表面没有悬挂键。也就是说，它不受晶格常数必须严格匹配的限制。”

屏幕上，Cd（0001）晶面的原子排列清晰可见，表面光滑平整。

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