第三百零九章 28纳米自主可控

;四月份，智云重新上市，其六千七百亿美元的市值再一次震惊世人的时候，智云旗下的智云微电子旗下，首条采用国产光刻机以及多种核心设备的28纳米工艺产线也正式投产，开始量产28纳米工艺芯片。

这意味着，国内的28纳米工艺开始自主可控，不需要担心外人卡脖子了。

同样也意味着海湾科技的HDUV-400型光刻机已经成熟，尤其是套刻精度上大有进步。

对于光刻机而言，最关键的参数有两个，一个是光源波长，比如DUV干式光刻机，则是193纳米的波长，而DUV浸润式光刻机，同样的光源下经过水的折射，可以把光源波长缩小到134纳米。

然后另外一个关键参数就是套刻精度，套刻精度有很多个说法，一般在量产工艺里使用的是MMO，也就是不同设备之间的套刻精度。

这个数据直接关系到大规模量产情况下的最小制程，良率等一系列关系性能，通常来说，只有满足五点五纳米的套刻精度，才能够实现28纳米工艺的大规模量产。

不然的话，勉强使用良率会非常低，成本高昂，不具备商业使用价值。

至于更进一步的18纳米以及十四纳米，甚至十纳米工艺这些，这就需要使用双重曝光技术，这对套刻精度要求更高，要求能够达到三点五纳米的套刻精度……

这也是为什么说十八纳米工艺节点有些尴尬的原因，因为用来生产十八纳米的光刻机，它也能用来生产十四纳米。

同样的设备，我为啥不生产十四纳米工艺的芯片？

但是再往下的七纳米，这就需要使用四重曝光，这对套刻精度提出了更进一步的要求，常规来说需要达到二点五纳米的套刻精度，如此才能够

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